存储芯片领域中国迎来打破美日韩垄断关键一战

　　原标题：在这一范畴，我国迎来打破美日韩独占要害一战

　　参考音讯网9月11日报导 港媒称，紫光集团旗下长江存储近来宣告，已开端量产根据自主研制Xtacking架构的64层三维闪存（3D NAND），容量为256Gb，以满意固态硬盘（SSD）嵌入式存储等干流商场使用的需求，这也是我国首款64层三维闪存芯片，将使我国与国际一线三维闪存企业的技能距离缩短到两年以内，被视为我国打破美日韩独占要害一战。

　　据香港《大公报》近来报导，长江存储官网音讯，上海我国国际半导体博览会举办前夕，公司宣告已开端量产根据XtackingR架构的64层“三阶贮存单元”3D NAND闪存。作为我国首款64层3D NAND闪存，该产品将露脸博览会紫光集团展台。

　　所谓3D NAND是经过将本来平铺的贮存单元堆叠起来，构成多层结构供给容量，使本来只要1层的贮存单元堆叠成64层或更多层。

　　缩短产品上市周期

　　报导指出，长江存储64层三维闪存是全球首款根据Xtacking架构规划并完成量产的闪存产品，具有同代产品中最高存储密度。立异的Xtacking技能只需一个处理过程就可经过数十亿根笔直互联通道（VIA）将两片晶圆键合，比较传统三维闪存架构可带来更快的传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。

　　长江存储相关负责人向《大公报》表明，长江存储64层三维闪存产品的量产，将使我国与国际一线三维闪存企业的技能距离缩短到两年以内。

　　紫光集团联席总裁刁石京表明，长江存储进入到这个范畴之前，国内一向没有大规划存储芯片的出产，未来，跟着云核算、大数据的开展，人类对数据存储要求是越来越高，三维闪存存储芯片是高端芯片一个重要范畴，它的量产也标志着我国离国际先进水平又大大跨近一步，把我国产品水平跟海外的先进水平缩短到了一代。

　　下一年末月产六万片晶圆

　　报导称，存储芯片竞赛剧烈，三星、海力士、东芝、西部数据、美光、英特尔等巨子在产能上继续投入。2018年，64层、72层的3D NAND闪存就已经是主力产品，2019年开端量产92层、96层的产品，到2020年，大厂们行将进入128层3D NAND闪存的量产。

　　业界有关人士剖析，长江贮存开展迅速，但现在表态保存，其尽管未发布量产规划，估计2020年末其可望将产能提高至月产6万片晶圆的水平。

　　据报导，长江存储64层三维闪存产品的量产有望使我国存储芯片自产率从8%提高至40%。在美日韩大厂独占下，长江存储的64层3D NAND闪存量产音讯别具含义。

　　业界猜测，长江存储最快下一年越过96层直接进入128层三维闪存，完成弯道超车。据悉，长江存储已推出Xtacking2.0规划，借以提高NAND吞吐速率、提高体系级存储的归纳功能、敞开定制化NAND全新商业模式等，相关产品将被广泛使用于数据中心，企业级服务器、个人电脑和移动设备等范畴。

长江存储64层3D NAND闪存晶圆（长江存储官网）